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一片不景气声中,SK海力士仍决定大规模投资20nm DRAM及3D NAND

2016-01-20 18:19:00来源:20区编辑:转角遇见你

一片不景气声中,SK海力士仍决定大规模投资20nm DRAM及3D NAND

SK海力士继2015年之后,再度决定进行史上最大规模投资。市场不景气与大陆业者强势跨足产业等种种不利因素下,SK海力士认为只有持续投资,强化技术竞争力,才能克服眼前危机。


2016年展望并不乐观,PC市场成长已停滞好几年,2015年连智能手机市场也出现成长趋缓的迹象,DRAM跟NAND Flash的价格也因此持续下跌。市场观察家也看衰半导体企业的2016年业绩。另外,竞争者迅速崛起,大陆政府砸大钱扶植半导体产业,2015年清华紫光集团西部数据最大股东的身分,间接购并全球第三大NAND Flash业者SanDisk。


SK海力士计划投资进行20nm DRAM与1x DRAM的开发与量产。透过推出新产品来强化成本竞争力,也借此提高投资效率。为了改善DRAM价格下滑导致的收益衰退,也计划增加高阶产品DDR4与LPDDR4 DRAM的生产与销售。


NAND Flash方面则计划开发比16nm更微细的2D架构14nm产品,以确保竞争力。2015年36层3D NAND Flash初期量产成功,2016年打算正式量产48层产品维持技术领先。同时致力研发属于新成长动能的下一代存储器与系统半导体,期望与后进业者拉开技术差距。


为了因应中长期增加的需求,位于韩国利川与清州的建厂投资计划也照规划进行。利川M14厂为了二期工程,投资1兆韩元(约8.3亿美元)建设无尘室与电力、环境等基础设施。又为清州新厂购地,近年内还会着手整理利川新厂基地。


SK海力士引用首尔大学经济研究所研究结果表示,透过M14厂创造的营收,到2021年为止可望为韩国引发55兆韩元产值,创造21万个就业机会。

(来源:Digitimes)


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